Ihr Partner für III/V-Verbindungshalbleiter. Wir bieten Epitaxie von Wafern, Entwicklung von Bauteilen, Schaltungen und Modulen bis hin zur Fertigung von Prototypen und Demonstratoren. Mittels Technologietransfer können wir Ihnen unser Technologie- und Prozess-Know-how zur Verfügung stellen.
Es erwarten Sie herausragende Forschungsergebnisse, wissenschaftliche Rekorde, Auszeichnungen für unsere Forschenden sowie ein spannender Einblick in unsere Prozess- und Wertschöpfungskette.
Wissenschaftler, Ingenieure und Anwender von Infrarot-Detektoren, -Lasern und -Systemen sind eingeladen, sich über den neuesten Stand der Technik zu informieren und aktuelle Entwicklungen vorzustellen.
Forschende des Fraunhofer IAF präsentieren ihre neuesten wissenschaftlichen Aktivitäten aus dem Bereich der GaN-basierten Leistungselektronik für Anwendungsbereiche wie Kommunikation, Mobilität oder Sensorik.
An zwei Ständen präsentieren Forschende des Fraunhofer IAF Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten im Bereich der III-V-Optoelektronik entlang der Halbleiter-Wertschöpfungskette sowie in der Quantensensorik und dem Quantencomputing.
Auf der EuMW präsentiert das Fraunhofer IAF integrierte Schaltungen für hohe Frequenzen, Terahertz-Technologien sowie Millimeterwellen-Schaltungen und -Module, die unter anderem für die Mobilfunkgeneration nach 5G sowie zur hochgenauen Entfernungsmessung eingesetzt werden können.