Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Sekundärionen-Massenspektrometer (SIMS) zur Materialanalytik.
Materialanalytik für Halbleiterschichten und Heterostrukturen
Das Fraunhofer IAF verfügt über eine Reihe analytischer Verfahren zur chemischen und strukturellen Charakterisierung von Volumenhalbleitern, Halbleiterheterostrukturen sowie Dünnschichtsystemen. Diese werden ergänzt durch optische Analysetechniken.
Kontaktieren Sie uns gerne, um Ihre individuellen Anforderungen zu besprechen.
- Hochauflösende Röntgendiffraktometrie (HRXRD) an dünnen Schichten
- Röntgenreflektometrie (XRR)
- Röntgentopographie (XRT)
- Röntgen µ-Computer-Tomographie (Röntgenmikroskopie)
- Sekundärionen-Massenspektrometrie
- Photolumineszenzspektroskopie