Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAFModule und Integrierte Schaltungen
Integrierte Schaltungen und Module bis zu 850 GHz
Das Fraunhofer IAF ist Weltspitze in der Entwicklung von Hochfrequenzmodulen und integrierten Schaltungen. Wir bieten Verstärker mit extrem niedrigem Rauschen, hoher Verstärkung und niedrigem Stromverbrauch. Metamorphe HEMT-Verstärker setzen neue Maßstäbe: Wir arbeiten an Bauteilen mit einer Rauschzahl von 4,8 dB bei 243 GHz sowie an Verstärkern mit einer Betriebsfrequenz bis 600 GHz.
Darüber hinaus ist am Fraunhofer IAF die Herstellung funktionaler MMICs, wie etwa Single-Chip-Radar und Transceiver-Schaltungen, möglich. Für den Einsatz in Radarsystemen, drahtlosen Anwendungen und Datenverbindungen werden GaN-HEMTs und ICs in Leistungsverstärkern für Frequenzen zwischen 1 GHz und 200 GHz verwendet. Wir entwickeln gehäuste GaN Transistoren für den Einsatz in den Bereichen Radar und mobile Kommunikation, mit Effizienzen von mehr als 80 Prozent, für Frequenzen bis 3 GHz und ausgestattet mit einer Ausgangsleistung von bis zu 500 W.
Unsere Komponenten können in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden:
- Aktive und passive Bildgebungssysteme
- Phased-Array-Radar
- Millimeterwellensensoren
- Drahtlose Kommunikation
- Weltraum- und Erdbeobachtung
- Breitband- und Weltraumkommunikation
