Multi-Project Wafer Runs

Wafer Runs für Transistoren, Integrierte Schaltungen (ICs) sowie elektronische und optoelektronische Bauelemente

Auf der Basis seiner epitaktischen und technologischen Möglichkeiten bietet das Fraunhofer IAF Wafer Runs, ganze Maskenprozessierungen und die Realisierung elektronischer und optoelektronischer Bauelemente für externe Kunden an. Sowohl Front- als auch Rückseitenprozessierung ist möglich. Die Runs werden regelmäßig im Rhythmus von vier bis sechs Monaten angeboten.

Das Fraunhofer IAF verfügt über einen hochmodernen Reinraum für die Prozessierung von aktuellsten III-V-Halbleiter-Bauelementen. Zu den Fähigkeiten zählen E-Beam-, optische Stepper- und Laserlithografie sowie Beschichtungs- und Ätzverfahren verschiedener Dielektrika und Metalle. Um die Prozesskapazitäten zu erhalten und auszubauen, erneuert das Fraunhofer IAF kontinuierlich sein Equipment.

Technologie-Angebot Hochfrequenz- und Leistungselektronik

InGaAs-HEMT-Technologien

50-35-20 nm metamorphe HEMTs (mHEMTs)
mHEMT-on-Insulator (in Entwicklung)
Entwurf, Erstellung, Charakterisierung und Aufbau von monolithisch-integrierten Mikrowellenschaltungen (MMICs) bis zu 700 GHz
Rauschzahlverhalten auf dem Stand der Technik
Extrem hohe Bandbreiten
Multifunktionale MMICs
On-Chip-Breitbandantennen
Leistungserhöhung durch kryogenen Betrieb

GaN-on-SiC-Technologien

Erstellung von HEMT-Bauelementen mit Gate-Längen von 0,5 µm bis hinab zu 50 nm
Höchste Ausgangsleistung
Frequenzen bis hinauf zu 200 GHz
Höchster Wirkungsgrad bei der Leistungsumwandlung
Geprüfte Zuverlässigkeit und Robustheit
Integrierte passive Bauelemente

GaN-on-Si-Technologien

GaN-basierte Leistungsschaltungen
Halbbrücken und Gate-Treiber
On-Chip-Sensoren

© Fraunhofer IAF
Prozessierter Gan/SiC-Wafer, vorderseitenprozessiert

Transceiver-MMIC des Fraunhofer IAF mit Leistungsverstärker, Schalter und rauscharmem Empfänger — © Fraunhofer IAF
Transceiver-MMIC mit Leistungsverstärker, Schalter und rauscharmem Empfänger

Rauscharmer Verstärker (mHEMT – 50 nm). — © Fraunhofer IAF
Rauscharmer Verstärker (mHEMT – 50 nm)

Technologie-Angebot Optoelektronik

GaAs- und InP-basierte Laser

Double-Trench- oder Buried-Het-Prozessierung:
- Breitstreifenlaser
- Rippenwellenleiterlaser
- Trapezlaser und -Verstärker
Individuelle Oberflächenbeschichtung (NIR/IR) inklsuive Charakterisierung

IR- und UV-Photodetektoren

Mono- und bispektrale Detektoren von MWIR (3–5 µm) bis LWIR (8–12 µm) mit InAs/GaSb oder InAs/InAsSb-T2SL
Einzelphotonen-Lawinendioden (SPADs) auf Basis von InGaAs/InP
UV-C-Detektormatritzen im solarblinden Bereich unter 280 nm mit AlGaN

Planarwafer des Fraunhofer IAF mit Detektoren für das kurzwellige Infrarot — © Fraunhofer IAF
3-Zoll-InGaAs/InP-Wafer mit APD-Arrays und einzelnen Bauelementen für eine Wellenlänge von 1550 nm

Leistungsverstärker (GaN – 100 nm). — © Fraunhofer IAF
UV-Detektoren auf Saphir-Substrat

Wafer des Fraunhofer IAF mit Laserprozess — © Fraunhofer IAF
Laser auf Silizium-Substrat