Regionaler Auftakt für die »Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland« am Fraunhofer IAF
Investitionen von 16 Mio. € für neue Forschungs- und Technologieangebote im Bereich Mikroelektronik
Um die Position der europäischen Halbleiter- und Elektronikindustrie im globalen Wettbewerb zu stärken, entsteht mit elf Fraunhofer-Instituten des Fraunhofer-Verbunds Mikroelektronik und zwei Instituten der Leibniz-Gemeinschaft die standortübergreifende »Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland« (FMD). Sie wird vom Bundesministerium für Bildung und Forschung mit insgesamt 350 Millionen Euro unterstützt. Am 18. Juli feierte das Fraunhofer IAF den Auftakt für die FMD in Baden-Württemberg.
Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF in Freiburg erhält vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) eine Förderung in Höhe von 16 Millionen Euro, die in modernstes Equipment investiert wird. Das Fraunhofer IAF ist eines von bundesweit 13 Instituten, die in der »Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland« zusammenarbeiten werden. Als einziges Institut mit Sitz in Baden-Württemberg feierte das Fraunhofer IAF am Dienstag die regionale Auftaktveranstaltung der »Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland«. Im Rahmen des zugehörigen Investitionsprogramms des BMBF profitiert auch das Land Baden-Württemberg von dem 350 Millionen Euro umfassenden Zukunftsprogramm des Bundes.
Mit Gästen aus Wirtschaft, Politik und Wissenschaft fand diesen Dienstag, den 18.07.2017, am Fraunhofer IAF der Auftakt der FMD in Baden-Württemberg statt. Der offizielle Startschuss fiel mit der Überreichung der Förderurkunde und Enthüllung des Türschilds durch Herrn Reinhold Friedrich vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF). In seinem Grußwort betonte er die Wichtigkeit, die Hightech-Forschung in Europa zu stärken. Mit der FMD entstehe ein einzigartiger Know-how-Pool im Bereich der Mikroelektronik, der es langfristig erlauben werde, Forschungsdienstleistungen entlang der kompletten Innovationskette aus einer Hand anzubieten. Die Förderung des BMBF erlaube flächendeckend eine Top-Ausrüstung mit neuester Labor- und Geräteausstattung in allen beteiligten Instituten. Darüber hinaus gibt es zukünftig eine zentrale Geschäftsstelle, die die Fähigkeiten aller Institute mit über 2000 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern bündelt und nicht zuletzt entstehe so eine gemeinsame Marke mit internationaler Strahlkraft.
»Für das Fraunhofer IAF eröffnet sich durch die Schaffung der FMD – und der damit verbunden neuen Qualität der Zusammenarbeit zwischen den beteiligten Instituten – die Chance, die am Institut entwickelten Technologien auf Basis von Verbindungshalbleitern mit den Silizium-basierten Technologien zu verbinden. Damit schaffen wir für unsere Industriepartner ein interessantes Angebot an höchst performanten Schaltungen und Modulen«, so der Institutsleiter Prof. Joachim Wagner.
Welche Rolle und Aufgaben das Fraunhofer IAF dafür in der FMD einnehmen wird, erläuterten Dr. Arnulf Leuther und Dr. Rüdiger Quay, Wissenschaftler am Fraunhofer IAF. Sie zeigten auf, welche neuen technologischen Fähigkeiten sich daraus für das Fraunhofer IAF ergeben und wie sie diese für innovative Lösungen in der Hochfrequenz- und Leistungselektronik z.B. für Radarsensoren, Spannungswandler oder schnelle drahtlose Datenübertragung nutzen wollen. Die Förderung des BMBF ermöglicht hierfür die Anschaffung neuer Geräte und Anlagen für Epitaxie und Technologie, mit denen neue Materialien, Aufbautechnik und Messtechnik optimiert werden können, um zukünftig hocheffiziente Bauteile und Systeme für digitale Anwendungen bereitzustellen.
Die Förderung von 16 Millionen Euro investiert das Fraunhofer IAF dazu in neue Anlagen für die Epitaxie und Prozessierung von III/V-Verbindungshalbleitern zur Herstellung und Integration elektronischer Bauelemente und Schaltungen sowie deren messtechnische Charakterisierung.
Dr. Helmut Brech von Infineon Technologies ging in seinem Vortrag auf die Bedeutung der Mikroelektronik für die aktuellen globalen Veränderungen, wie die wachsende Weltbevölkerung, den Klimawandel, unsere begrenzten Ressourcen sowie die alternde Bevölkerung ein. Für diese weltweiten Herausforderungen biete die Mikroelektronik unter anderem mit Entwicklungen in den Bereichen autonomes Fahren, Energieeffizienz oder Industrie 4.0 wichtige Lösungsansätze. Eine entscheidende Rolle spiele hierbei die intelligente, vernetzte, echtzeitfähige Kommunikation. Um die technologischen Hürden zu meistern, forderte er eine enge Zusammenarbeit zwischen Industrie und Forschung und begrüßte die FMD als Möglichkeit, die notwendigen Kompetenzen weiter auszubauen und der Konkurrenz aus dem Ausland zu begegnen.
Wolfgang Bay von der SICK AG schilderte seinen Blick aus der Perspektive eines mittelständischen Unternehmens: Gerade im Hinblick auf die enormen Investitionen von global agierenden Wirtschaftsunternehmen sei es wichtig, dass die deutsche Wissenschaft nicht nur auf dem Stand der Technik bleibe, sondern sich auch in einigen spezifischen Themen eine führende Stellung erarbeiten könne. Er betonte auch die hohe Verantwortung, die auf die geförderten Institute zukomme, um die finanziellen Mittel zielgerichtet und nachhaltig einzusetzen. Für Bay liegt die Bedeutung der Mikroelektronik vor allem in Sensorik-Anwendungen wie der Fabrikautomation, der Logistikautomation sowie der Prozessautomation.
Die Grußworte von Ministerialdirigent Günther Leßnerkraus, Wirtschaftsministerium Baden-Württemberg, Prof. Martin Haag, Bürgermeister der Stadt Freiburg sowie Hendrik Gorzawski, Fraunhofer-Gesellschaft, betonten die Wichtigkeit der Mikroelektronik in Zeiten der Digitalisierung. Sie sehen in der Förderung des Bundesministerium für Bildung und Forschung die Möglichkeit einer neue Qualität der Elektronikforschung für den Standort Deutschland und, mit Bezug auf das Fraunhofer IAF, für das Land Baden Württemberg und die Stadt Freiburg.
Über das IAF und die FMD
Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf dem Gebiet der III/V-Halbleiter. Auf Basis dieser Halbleiter entwickelt es elektronische und optoelektronische Bauelemente sowie integrierte Schaltungen. In einem ca. 1000 m² großen Reinraum stehen die Epitaxie- und Technlogieanlagen bereit, um Hochfrequenz-Schaltungen für die Kommunikationstechnik, effiziente Spannungswandler, Infrarot- und UV-Detektoren sowie Infrarot-Halbleiterlaser für z.B. spektroskopische Analytik zu realisieren.
Mit den Investitionen in die »Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland« und dem Rahmenprogramm »Mikroelektronik aus Deutschland – Innovationstreiber der Digitalisierung« unterstützt das BMBF Forschung und Innovation in der Mikroelektronik mit insgesamt rund 800 Millionen Euro bis 2020. Dies ist Teil eines Maßnahmenpaketes zur Förderung der Mikroelektronik in Deutschland, das die Bundesregierung auf den Weg gebracht hat. Die Mikroelektronik ist eine Schlüsseltechnologie für strategisch bedeutsame, starke Industriebranchen wie den Maschinen- und Automobilbau. Innovationen in der Mikroelektronik sind Voraussetzung für Industrie 4.0, intelligente Mobilität und effiziente Technik für die Energiewende.
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