Auftragsepitaxie

Epitaxie

Wir bieten speziell zugeschnittene Lösungen im Bereich der III/V Halbleiterepitaxie. Dank hochmoderner Ausstattung ist es uns möglich, Pilotserienfertigungen von Bauteilen für die Leistungs- und Hochfrequenzelektronik sowie für Halbleiterlaser zu realisieren. Damit schaffen wir den Transfer von der Forschung zur Industrie.

Im Bereich der Wafer-Epitaxie können Sie die folgenden Leistungen mit uns beauftragen:  

• Epitaxie kundenspezifischer Schichtstrukturen
  
• Epitaxieentwicklung und Kleinserienproduktion
  
• Herausragende Qualität und Reproduzierbarkeit
  
• Wissenschaftliche Beratung
• Umfangreiche Charakterisierung der gewachsenen Schichtstrukturen

In den folgenden Bereichen bieten wir Ihnen Epitaxie an:

Laserstrukturen (Emissionswellenlänge 750 nm bis zu 12µm)

• Diodenlaser (GaAs 750-1080 nm, InP 1300-1700 nm and GaSb 1800-2400 nm)
• Quantum Cascade lasers
• VCSEL
• VECSEL

• IR-LED
• UV-LED

• Kurzwelliges Infrarot: InGaAs und extended-InGaAs
  
• Mittel- und langwelliges Infrarot: Type-II-SL, QWIP
  
• UV Detektoren

• III/V-basierende pHEMT, mHEMT
• AIGaN-HEMT auf SiC und Si
• 8-Zoll Wafer
• HBT