Technologien, Bauelemente und Schaltungen, Aufbau und Module

Lateral

• AlGaN/GaN-on-Si (N-OFF, N-ON, 48 V, 650 V, 1200 V)
• AlScN/GaN-on-Si
  
• GaN-on-CMOS-Heterointegration (Mikro-Transferdruck, Wafer-to-Wafer, Si-Trägersubstratentfernung uvm.)
• GaN-on-X (X= GaN, SiC, QST®, Saphir, Diamant) 

Vertikal und quasi-vertikal

• GaN-on-GaN (vertikal)
• GaN-on-Si (quasi-vertikal)
• GaN-on-Sapphire (quasi-vertikal)
• GaN-on-SiC (quasi-vertikal)

Laterale Bauelemente

• HEMTs (N-OFF, N-ON, MIS | 48 V, 200 V, 650 V, 1200 V)
• HEMT mit integrierter Freilaufdiode
• Hochvolt-Kaskoden
• Dioden (Laterale Feldeffekt-Gleichrichter, Schottky-Dioden)

GaN-Leistungsschaltungen

• Gate-Treiber (mehrstufige Ansätze, Bootstrap-Schaltungen)
• Monolithische Halbbrücken (Dreiphaseninverter-Schaltung)
• Stromsensoren (SenseFET, Quasi-Shunt) und Temperatursensoren
• Schutzschaltungen
• Steuerungslogik (PWM-Generator, -Verstärker, -Komparatoren)

All-in-GaN-Leistungsschaltungen

• Monolithische Point-of-Load-Wandler
• Aktive GaN-Diodenschaltung

Vertikale Bauelemente

• Dioden 
• CAVETs und co-integrierte HEMTs
• FinFETs
• MOSFETs (Prozessentwicklung)
• JFETs und ausgewählt überwachsene HEMTs (neuer Ansatz für vertikale GaN-Leistungsschaltungen)

Chip-Befestigung

• Löten (AuSn 80/20)
• Sinterpaste
• Klebstoffe (leitend, nicht leitend)

Drahtbonden

• Gold, Kupfer
• Ball-Wedge, Wedge-Wedge
• 25 µm, 50 µm uvw.

PCB-Embedding

• Externe Partner
• Siliziumentfernung (freistehend, GaN-on-PCB)

Gehäuse für Bauelemente

• Verschiedene TO-Typen
• Quad Flat No Leads Package (QFN)
• DFN8-PCB
• Dual-in-Line für Logik
• Halbleiterchip (Lotpastenstrahlverfahren)

Modulfertigung

• DCBs (AlN uvm. | laserstrukturiert, Prototypenentwicklung)