Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

Elektronische Schaltungen

Forschung und Entwicklung in der Elektronik

Am Fraunhofer IAF wird sowohl an Innovationen der Hochfrequenzelektronik als auch der Leistungselektronik geforscht.

In der Hochfrequenzelektronik behandeln Forschende den Frequenzbereich bis 1 THz und entwickeln leistungsstarke und zugleich effiziente Schaltungen, Bauelemente, Module und Sub-Systeme für Anwendungen wie Radarsensoren und Mobilfunk- oder Satellitenkommunikation.

Im Bereich Leistungselektronik konzentriert sich das Fraunhofer IAF auf maximale Energieeffizienz für Elektromobilität, Klimatechnik und Informationstechnik, neuartige laterale und vertikale 1200-V-Bauelemente sowie monolithisch und heterogen integrierte Schaltungen.

Weiterhin arbeitet das Fraunhofer IAF an der Erforschung und Entwicklung neuer Materialien, zum Beispiel an Schichten aus Aluminiumscandiumnitrid (AlScN) für piezoelektrische Filter.

Hochfrequenzelektronik

Entwicklung und Fertigung von InGaAs- oder AlGaN/GaN-Hochfrequenz-Schaltungen, -Bauelementen und -Modulen bis Prototyp oder Kleinserie

GaN-Leistungselektronik

GaN-basierte Bauelemente, Schaltungen und Module für höchste Energieeffizienz und maximale Spannung

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Dienstleistungen entlang der Halbleiter-Wertschöpfungskette

Diensteistungen in Epitaxie, Prozesstechnologie, Charakterisierung und Bauelement- wie Modulfertigung

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Stimmen aus dem Netzwerk

»Seit vielen Jahren arbeitet der Technologiekonzern Rohde & Schwarz eng mit dem Fraunhofer IAF zusammen. Gemeinsam gelingt es uns, neueste Forschungsergebnisse auf kürzestem Weg in innovative industrielle Anwendungen zu überführen.«

Robert Ziegler, Director MMIC Development Corporate R&D, Rohde & Schwarz

»Die vom Fraunhofer IAF entwickelten Leistungsverstärker mit ihrem erstklassigen 0,1 μm GaN-Prozess ermöglichen die Entwicklung einer neuen Generation von hochintegrierten und leistungsstarken Lösungen.«

Dr. Alessandro Fonte, Senior Engineer, Member of Technical Staff R&D Laboratory, SIAE Microelettronica

»Energieeffizienz und Nachhaltigkeit spielen auch in der Leistungselektronik eine immer größere Rolle. Mit der Entwicklung von kompakten Invertermodulen auf GaN-Basis kann das Fraunhofer IAF die E-Mobilität einen entscheidenden Schritt voranbringen.«

Dr. Kristine Bentz, Leiterin Forschungsförderung, Vector Stiftung