Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

MOCVD-Halle

Neue MOCVD-Halle von außen mit Laborgebäude im Hintergrund
© Fraunhofer IAF
Seit 2021 stehen dem Fraunhofer IAF ein neues Laborgebäude und eine hochmoderne MOCVD-Halle zur Verfügung.
Blick von oben über MOCVD-Halle mit Anlagen und Mitarbeitern
© Fraunhofer IAF
In der neuen MOCVD-Halle sind fünf moderne Anlagen für die metall-organische Gasphasenepitaxie in Betrieb.
MOCVD-Anlage mit zwei Mitarbeitern
© Fraunhofer IAF
Im Neubau wurde 2021 eine neue Anlage für (AlSc) N-haltige Materialien installiert, die Temperaturen von bis zu 1400 °C erreicht, wodurch sich die Kristallqualität deutlich verbessert.

2021 wurde eine neue MOCVD-Halle am Fraunhofer IAF in Betrieb genommen: In der Halle ist die gesamte benötigte Peripherie auf gebündeltem Raum optimal vereinigt. Dazu zählen neue, energieeffiziente Scrubber zur Reduzierung toxischer Gase sowie zwei moderne Gasreiniger, die ihre Reinigungskartuschen selbstständig regenerieren. Des Weiteren werden die benötigten Prozessgase in modernen Gaskabinetten bereitgestellt und eine neue nasschemische Einheit ermöglicht die Reinigung benötigter Komponenten direkt in der MOCVD-Halle.

In der neuen Maschinenhalle stehen folgende MOCVD-Anlagen zur Verfügung:

  • Veeco K465i (Nitride bis 3 x 200 mm)
  • Aixtron G4 (Nitride bis 11 x 100 mm)
  • Aixtron CCS (Nitride bis 1 x 100 mm)
  • Aixtron CCS (Nitride bis 1 x 200 mm oder 5 x 100 mm)
  • Aixtron CCS (Arsenide bis 6 x 50 mm oder 3 x 75 mm)

Die neueste MOCVD-Anlage Aixtron CCS19x2 für Scandium-haltige Schichten ist in der Lage, Temperaturen von bis zu 1400 °C zu erreichen. Damit verbessert sich die Kristallqualität (insbesondere für AlN-Schichten) deutlich. Darüber hinaus sind die Homogenität und die Reproduzierbarkeit der Anlage extrem gut. Die außergewöhnlich gute Materialqualität kommt sowohl der institutseigenen Forschung als auch Kunden und Partnern zu Gute.