Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAFDas Fraunhofer IAF trauert um den herausragenden Wissenschaftler und Halbleiter- wie Solarenergie-Pionier Prof. Dr. Adolf Goetzberger, der das Institut von 1968 bis 1981 leitete. Adolf Goetzberger starb am 24. Februar 2023 im Alter von 94 Jahren.
Trauer um Prof. Dr. Adolf Goetzberger
01.03.2023 / Fraunhofer IAF nimmt Abschied von ehemaligem Institutsleiter
Porträt von Prof. Dr. Adolf Goetzberger, Leiter des Fraunhofer IAF von 1968 bis 1981
Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF nimmt Abschied von seinem ehemaligen Institutsleiter Prof. Dr. Adolf Goetzberger (* 29. November 1928; † 24. Februar 2023). Mit Adolf Goetzberger geht ein herausragender Wissenschaftler und Pionier der Halbleiter- und Solarenergietechnik. Nach seiner Promotion in München 1955 ging er in die USA und arbeitete während der Pionierzeit der Mikroelektronik in Palo Alto und in den Bell Laboratories, unter anderem zusammen mit dem Nobelpreisträger und Miterfinder des Transistors William Shockley. 1968 kehrte Adolf Goetzberger nach Deutschland zurück und leitete 13 Jahre lang das Fraunhofer IAF. In dieser Zeit war er unter anderem für die Erfindung und Patentierung des Fluoreszenzkollektors verantwortlich. Die Albert-Ludwigs-Universität Freiburg ernannte ihn 1971 zum Honorarprofessor in der Fakultät für Physik. 1981 gründete er das Fraunhofer ISE, das er bis 1993 leitete.
Für seine wissenschaftlichen Verdienste wurde Adolf Goetzberger vielfach ausgezeichnet: Er erhielt beispielsweise 1983 als erster Deutscher den J. J. Ebers Award der IEEE Electron Devices Society für seine herausragenden Leistungen bei der Entwicklung des Silizium-Feldeffekttransistors. 1989 wurde er mit der Verdienstmedaille des Landes Baden-Württemberg ausgezeichnet, 1992 mit dem Bundesverdienstkreuz erster Klasse. Das Europäische Patentamt verlieh ihm 2009 den Titel »European Inventor of the Year«.