Infrarot-Detektoren
Matrix- und Einzeldetektoren höchster Leistungsfähigkeit:
- InAs/GaSb Typ-II Übergitter für das mittlere (MWIR, 3 – 5 µm) und langwellige (LWIR, 8 – 12 µm) Infrarot
- InGaAs für das kurzwellige Infrarot (SWIR, < 1.7 µm)
- AlGaN für den solar-blinden ultravioletten Bereich (<280nm)
Zur Steigerung der Leistungsfähigkeit werden Bauelemente mit Heteroübergängen entwickelt, welche im Vergleich zu herkömmlichen Bauelementen mit Homoübergang deutliche Vorteile in Bezug auf Dunkelstrom und Rauschverhalten bieten.
Avalanche-Photodioden
Für Anwendungen, welche die Detektion äußerst schwacher optischer Signale erfordern, entwickeln wir hochempfindliche Avalanche-Photodioden (APDs) mit interner Signalverstärkung.
Dies tun wir sowohl für den solar-blinden ultravioletten Spektralbereich unterhalb 280 nm als auch im kurzwelligen Infrarot (SWIR, 0,9 – 1,7 µm), wofür wir AlGaN- bzw. InGaAs-APDs optimieren.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
