Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAFDas Fraunhofer IAF ist GaN Valley beigetreten, um seine Fähigkeiten in der Hochfrequenz- und Leistungselektronik in den Aufbau souveräner europäischer Halbleiter-Lieferketten einzubringen. Die Vernetzung innerhalb des wachsenden Ökosystems bietet europäischen Unternehmen und wissenschaftlichen Einrichtungen, die sich auf GaN spezialisiert haben, eine gemeinsame Plattform für die vertiefte Zusammenarbeit.
Fraunhofer IAF tritt GaN Valley bei
25.06.2024 / Europäisches Ökosystem für Wide-Bandgap-Halbleiter
Verschiedene GaN-Bauelemente, die mittels GaN-on-Si-Technologie des Fraunhofer IAF in einem Multi-Project Wafer Run realisiert wurden
Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF ist Mitglied von GaN Valley geworden. Die Initiative vernetzt Unternehmen und wissenschaftliche Einrichtungen, um ein europäisches Ökosystem zur souveränen Entwicklung und Fertigung von Bauelementen auf Basis des III-V-Verbindungshalbleiters Galliumnitrid (GaN) zu schaffen. Ziel ist es, Mitgliedern eine Plattform für Wissenstransfers und vertiefte Zusammenarbeit bereitzustellen und auf dieser Grundlage gesicherte europäische Lieferketten zukunftsträchtiger GaN-Technologien auf den Weg zu bringen.
»Eine enge Zusammenarbeit mit Unternehmen der EU-Halbleiterindustrie und wissenschaftlichen Einrichtungen, die sich ebenfalls auf GaN spezialisiert haben, sehen wir als wichtigen Beitrag zur Stärkung der europäischen Wirtschaft und zur Förderung der Unabhängigkeit in Europa«, erklärt Achim Lösch, Business Developer für Hochfrequenz- und Leistungselektronik am Fraunhofer IAF. »In diesem Sinne freuen wir uns auf eine aktive Mitarbeit im GaN Valley.«
Forschung und Entwicklung von GaN-Bauelementen entlang der Wertschöpfungskette
Das Fraunhofer IAF bringt in die Initiative seine Expertise und Infrastruktur für die Erforschung und Entwicklung neuartiger GaN-basierter Bauelemente, Schaltungen und Module für Anwendungen in der Leistungs- und Hochfrequenzelektronik ein, etwa für hochbitratige Satellitenkommunikation und Energiewandlung bei Elektrofahrzeugen oder Wärmepumpen. Durch seinen leistungsstarken 1000 m2 großen Reinraum ist das Institut in der Lage, von Design über Epitaxie, Prozessierung und Charakterisierung bis hin zu Modulbau und (Sub-)Systemintegration Leistungen entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette anzubieten. Das gilt sowohl für die Entwicklung einzelner Demonstratoren als auch für die Kleinserienfertigung.
Warum GaN?
Als Halbleiter mit breitem Bandabstand zeichnet sich GaN durch eine Reihe von Vorteilen gegenüber Elementhalbleitern wie Silizium (Si) aus. GaN-basierte Schaltungen erleiden geringere Energieverluste, können höhere Spannungen sowie Frequenzen verarbeiten und sind robuster, z. B. können sie zuverlässig bei höheren Umgebungstemperaturen betrieben werden als Si-basierte Schaltungen.