PCIM 2025: Fraunhofer IAF präsentiert Innovationen in der Leistungselektronik / 2025
Bidirektionaler 1200-V-GaN-Schalter mit integrierten Freilauf-Dioden

Das Fraunhofer IAF hat einen monolithischen bidirektionalen Schalter mit einer Sperrspannung von 1200 V mithilfe seiner GaN-on-Insulator-Technologie entwickelt. Der Schalter enthält zwei Freilauf-Dioden und kann in bidirektionalen Ladegeräten und Antriebsträngen elektrischer Fahrzeuge sowie in Systemen zur Erzeugung und Speicherung erneuerbarer Energien Leistungs- und Effizienzvorteile erzielen. Präsentiert werden die Ergebnisse zusammen mit weiteren Entwicklungen in der Leistungselektronik vom 6. bis 8. Mai 2025 auf der PCIM Europe in Nürnberg.
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